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泰科天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

泰科天潤發布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

產品詳情

慕尼黑上海電子展 (Electronica China)圓滿收官。泰科天潤在此次展會上正式發布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V系列產品和650V60A混合單管新品,吸引了國內外客戶及行業人士的廣泛關注。


第一款:泰科天潤1200V 80mΩ SiC MOSFET

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具有更低的導通電阻,更低的開關損耗,更高的開關頻率,更高的工作溫度,Vth典型值超過3V。應用場景:光伏、OBC、UPS及電機驅動等。


第二款:泰科天潤650V60A混合單管(Si IGBT+SiC diode)

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可大幅降低IGBT的開關損耗,提高效率,降低溫升。


第三款:2000V系列產品

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適用1500V光伏系統,高效率,更可靠。


關于泰科天潤:

泰科天潤半導體科技(北京)有限公司成立于2011年,是中國碳化硅(SiC)功率器件產業化的倡導者之一,致力于中國半導體功率器件制造產業的發展,并提供優質的半導體功率器件產品和專業服務。總部坐落于北京,擁有湖南一條年產6萬片/6英寸SiC半導體晶圓生產線,2023年底擴產至年產10萬片。公司2023年年初北京8寸線動工,預計2025年實現年產10萬片/8英寸SiC半導體晶圓。泰科天潤產品已經批量應用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等領域。 質量資質:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,產品質量完全可以比肩國際同行業的先進水平。



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